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    研究用高纯度硅晶片4×N型

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    研究用高纯度硅晶片:
    作为研究.开发用途有一定实际业绩,供应从少量起步的采用高纯度材料的晶片。
    产品详情
    研究用高纯度硅晶片4×N型
    研究用高纯度硅晶片 研究用高純度シリコンウェハー WAFER
    作为研究.开发用途有一定实际业绩,供应从少量起步的采用高纯度材料的晶片。
    品牌:其他(进口)

    研究用高纯度硅晶片4×N型规格:
    ● 制造方法:CZ法
    ● 平面方位:100
    ● OF位置:110
    ● 电阻值:0.1~100Ω.cm ※低电阻:≦0.02Ω.cm、高电阻:≧500Ω.cm
    ● 粒子:2-960-01~08/不论粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10个以下
    研究用高纯度硅晶片规格.JPG
    研究用高纯度硅晶片4×N型

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    ● 制造方法:CZ法
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    ● OF位置:110
    ● 电阻值:0.1~100Ω.cm ※低电阻:≦0.02Ω.cm、高电阻:≧500Ω.cm
    ● 粒子:2-960-01~08/不论粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10个以下
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